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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 453K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 2.13 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STF22N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、196 mOhm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET,T | |
STF22NM50 | ETC |
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N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH POWER MOSFET | |
STF22NM60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P | |
STF22NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po | |
STF23N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET,T | |
STF23NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22 | |
STF23NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 | |
STF23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.150 Ω, 19.5 A, FDmesh™ II | |
STF24N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STF24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET, |