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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3K16FU
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SSM3K16FU

更新时间： 2024-11-10 21:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 139K
描述
High Speed Switching Applications Analog Switching Applications

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SSM3K16FU 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.6Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3K16FU 数据手册

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SSM3K16FU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K16FU  
High Speed Switching Applications  
Analog Switching Applications  
Unit: mm  
·
·
Suitable for high-density mounting due to compact package  
Low on resistance: R = 3.0 Ω (max) (@V  
on  
= 4 V)  
GS  
: R = 4.0 Ω (max) (@V  
on  
= 2.5 V)  
= 1.5 V)  
GS  
: R = 15 Ω (max) (@V  
on  
GS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source voltage  
Gate-Source voltage  
V
20  
±10  
V
V
DS  
V
GSS  
DC  
Drain current  
I
100  
D
mA  
Pulse  
I
200  
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
(Note)  
150  
mW  
°C  
D
T
150  
ch  
JEDEC  
JEITA  
―
Storage temperature range  
T
-55~150  
°C  
stg  
SC-70  
2-2E1E  
Note: Mounted on FR4 board  
(25.4 mm ´ 25.4 mm ´ 1.6 t, Cu Pad: 0.6 mm2 ´ 3)  
TOSHIBA  
0.6 mm  
1.0 mm  
Marking  
Equivalent Circuit  
3
3
D S  
1
2
1
2
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment  
is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other  
objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
1
2001-12-18  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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