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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3K303T
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SSM3K303T

更新时间： 2024-01-23 03:08:20
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 186K
描述
High Speed Switching Applications

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SSM3K303T 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A最大漏极电流 (ID)：0.0029 A
最大漏源导通电阻：0.083 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3K303T 数据手册

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SSM3K303T  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K303T  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
4 V drive  
Low ON-resistance:  
R
R
= 120 mΩ (max) (@V  
= 4V)  
GS  
on  
=
83 mΩ (max) (@V  
= 10V)  
on  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
30  
Unit  
V
V
DS  
Gate–source voltage  
V
± 20  
2.9  
V
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
5.8  
DP  
D (Note 1)  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
P
700  
mW  
°C  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
°C  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-3S1A  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board.  
Weight: 10 mg (typ.)  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm2 )  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA, V = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Drain–source breakdown voltage  
Drain cutoff current  
V
I
30  
⎯
⎯
1.1  
2.5  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
1
V
μA  
μA  
V
(BR) DSS  
D
GS  
= 30 V, V  
I
V
V
V
V
= 0  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
= ± 20 V, V  
Gate leakage current  
I
= 0  
⎯
±1  
2.6  
⎯
83  
120  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
GSS  
DS  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
V
= 5 V, I = 1 mA  
⎯
th  
D
⏐Y ⏐  
= 5 V, I = 1.5 A  
(Note2)  
(Note2)  
(Note2)  
4.9  
64  
S
fs  
D
I
I
= 1.5 A, V  
= 10 V  
= 4 V  
D
D
GS  
GS  
Drain–source ON-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
= 1.0 A, V  
88  
Input capacitance  
C
V
V
V
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
180  
100  
38  
pF  
pF  
pF  
iss  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Total Gate Charge  
C
oss  
C
rss  
Qg  
3.3  
1.4  
1.9  
13  
V
V
= 15 V, I = 2.9 A  
DS  
DS  
GS  
nC  
Gate−Source Charge  
Gate−Drain Charge  
Qgs  
Qgd  
= 4 V  
Turn-on time  
Switching time  
t
t
on  
off  
V
V
= 10 V, I = 1.5 A,  
DD  
GS  
D
ns  
V
= 0 to 4 V, R = 10 Ω  
Turn-off time  
14  
G
⎯
⎯
⎯
Drain–source forward voltage  
Note2: Pulse test  
V
I
= − 2.9 A, V = 0 V  
GS  
(Note2)  
– 0.9  
– 1.25  
DSF  
D
1
2007-11-01  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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