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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.107 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM3K318RLF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| SSM3K318T | TOSHIBA |
获取价格 |
Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS |
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| SSM3K318T(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-346VAR |
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| SSM3K320T | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
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| SSM3K324R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| SSM3K329R | TOSHIBA |
获取价格 |
Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type |
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| SSM3K329R,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET, SOT23F |
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| SSM3K329R,LF(A | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SSM3K329R,LNKEMF(A | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SSM3K333R | UTC |
获取价格 |
6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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