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SSM3K324R

更新时间： 2024-11-01 21:19:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	218K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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SSM3K324R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.056 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM3K324R 数据手册

SSM3K324R

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

SSM3K324R

1. Applications

•

Power Management Switches

•

DC-DC Converters

2. Features

(1) 1.8-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

3. Packaging and Pin Assignment

1: Gate

2: Source

3: Drain

SOT-23F

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

± 12

(Note 1)

(Note 1), (Note 2)

(Note 3)

4.0

IDP



Power dissipation

(t ≤ 10 s)

(Note 3)

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150

-50 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150 .

Note 2: Pulse width (PW) ≤ 10 ms, duty ≤ 1%

Note 3: Device mounted on an FR4 board. (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm ,Cu pad: 645 mm2)

2013-01-25

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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与SSM3K324R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM3K329R	TOSHIBA	获取价格	Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
SSM3K329R,LF	TOSHIBA	获取价格	MOSFET, SOT23F
SSM3K329R,LF(A	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K329R,LNKEMF(A	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
SSM3K333R	UTC	获取价格	6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K333R	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 30 V, 6.0 A, 0.028 Ω@10V, SOT-23
SSM3K333R,LF	TOSHIBA	获取价格	MOSFET, SOT23F
SSM3K333R_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K333RG-AE3-R	UTC	获取价格	6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K333RL-AE3-R	UTC	获取价格	6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET

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