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SSM3K339R

更新时间: 2023-12-06 20:13:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
N-ch MOSFET, 40 V, 2.0 A, 0.198 Ω@4.5V, SOT-23F

SSM3K339R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:1.74
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:0.208 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSM3K339R 数据手册

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SSM3K339R  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS  
SSM3K339R  
1. Applications  
Power Management Switches  
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) 1.8-V gate drive voltage.  
(2) Low drain-source on-resistance  
: RDS(ON) = 145 m(typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A)  
RDS(ON) = 155 m(typ.) (@VGS = 4.5 V, ID = 1.0 A)  
RDS(ON) = 160 m(typ.) (@VGS = 3.6 V, ID = 1.0 A)  
RDS(ON) = 180 m(typ.) (@VGS = 2.5 V, ID = 0.5 A)  
RDS(ON) = 220 m(typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A)  
3. Packaging and Pin Assignment  
1: Gate  
2: Source  
3: Drain  
SOT-23F  
Start of commercial production  
2014-02  
2014-02-21  
Rev.1.0  
1

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