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SSM3K37CT

更新时间： 2024-09-27 20:06:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 386K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CST3, 2-1J1B, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SSM3K37CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.64外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：2.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3K37CT 数据手册

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SSM3K37CT  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM3K37CT  
○ High Speed Switching Applications  
○ Analog Switch Applications  
Unit : mm  
•
•
1.5Vdrive  
Low ON-resistance  
R
R
R
R
= 5.60 Ω (max) (@V  
= 4.05 Ω (max) (@V  
= 3.02 Ω (max) (@V  
= 2.20 Ω (max) (@V  
= 1.5 V)  
= 1.8 V)  
= 2.5 V)  
= 4.5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
20  
± 10  
V
V
DSS  
Gate-Source voltage  
GSS  
DC  
I
200  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
400  
DP  
Power dissipation  
P (Note1)  
100  
mW  
°C  
D
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
ch  
150  
CST3  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-1J1B  
Weight: 0.75mg(typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on FR4 board  
(10 mm × 10 mm × 1.0 mm, Cu Pad: 100 mm )  
2
Marking(top view)  
Pin Condition (top view)  
Equivalent Circuit  
Polarity mark  
Polarity mark (on the top)  
3
1
3
1
SU  
2
2
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
*Electrodes: On the bottom  
1
2013-10-07  
12345

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与SSM3K37CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K37FS TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SSM, 2-2H1B, 3 PIN, FET Gene
SSM3K37MFV TOSHIBA

获取价格

 		Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
SSM3K37MFV,L3XGF(T TOSHIBA

获取价格

 		250mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SSM3K43FS TOSHIBA

获取价格

 		Not Recommended for New Design
SSM3K44FS TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 4.0 Ω@4V, SOT-416(S
SSM3K44MFV TOSHIBA

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 		N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 4.0 Ω@4V, SOT-723(V
SSM3K48FU TOSHIBA

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 		Load Switching Applications
SSM3K48FU,LF TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3K48FU,LF(T TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
SSM3K56ACT TOSHIBA

获取价格

 		SMALL SIGNAL, FET

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