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SSM3K333R

更新时间: 2024-12-01 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 366K
描述
N-ch MOSFET, 30 V, 6.0 A, 0.028 Ω@10V, SOT-23F

SSM3K333R 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-23F包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:0.028 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSM3K333R 数据手册

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SSM3K333R  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)  
SSM3K333R  
1. Applications  
Power Management Switches  
High-Speed Switching  
2. Features  
(1) 4.5-V drive  
(2) Low drain-source on-resistance  
: RDS(ON) = 42 m(max) (@VGS = 4.5 V)  
RDS(ON) = 28 m(max) (@VGS = 10 V)  
3. Packaging and Pin Assignment  
1: Gate  
2: Source  
3: Drain  
SOT-23F  
Start of commercial production  
2010-10  
©2021  
2021-10-22  
Rev.1.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  

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