5秒后页面跳转
SSM3K335R PDF预览

SSM3K335R

更新时间: 2024-11-30 12:22:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 转换器开关DC-DC转换器
页数 文件大小 规格书
9页 235K
描述
Power Management Switches DC-DC Converters

SSM3K335R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.038 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SSM3K335R 数据手册

 浏览型号SSM3K335R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM3K335R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM3K335R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM3K335R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM3K335R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SSM3K335R的Datasheet PDF文件第7页 
SSM3K335R  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)  
SSM3K335R  
1. Applications  
Power Management Switches  
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) 4.5-V gate drive voltage.  
(2) Low drain-source on-resistance  
: RDS(ON) = 38 m(max) (@VGS = 10 V)  
RDS(ON) = 56 m(max) (@VGS = 4.5 V)  
3. Packaging and Pin Configuration  
1.Gate  
2.Source  
3.Drain  
SOT-23F  
2012-07-19  
Rev.3.0  
1

与SSM3K335R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K336R TOSHIBA

获取价格

Power Management Switches DC-DC Converters
SSM3K337R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET + Active Clamp Zener, 38 V, 2.0 A
SSM3K339R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 40 V, 2.0 A, 0.198 Ω@4.5V, SOT-2
SSM3K341R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 60 V, 6.0 A, 0.036 Ω@10V, SOT-23
SSM3K341TU TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 60 V, 6.0 A, 0.036 Ω@10V, SOT-32
SSM3K344R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 20 V, 3.0 A, 0.071 Ω@4.5V, SOT-2
SSM3K345R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 20 V, 4.0 A, 0.033 Ω@4.5V, SOT-2
SSM3K347R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET + Active Clamp Zener, 38 V, 2.0 A
SSM3K357R TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 60 V, 0.65 A, SOT-23F
SSM3K35AFS TOSHIBA

获取价格

N-ch MOSFET, 20 V, 0.25 A, 1.1 Ω@4.5V, SOT-41