5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SSM3K336R
SSM3K336R PDF预览

SSM3K336R

更新时间： 2024-11-30 12:56:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 转换器开关DC-DC转换器
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
Power Management Switches DC-DC Converters

阅读下载

中文翻译

获取价格

SSM3K336R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3K336R 数据手册

 浏览型号SSM3K336R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM3K336R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM3K336R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM3K336R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM3K336R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SSM3K336R的Datasheet PDF文件第7页 
SSM3K336R  
MOSFETs Silicon N-Channel MOS  
SSM3K336R  
1. Applications  
•
Power Management Switches  
•
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) 4.5 V gate drive voltage.  
(2) Low drain-source on-resistance  
: RDS(ON) = 95 mΩ (max) (@VGS = 10 V)  
RDS(ON) = 140 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)  
3. Packaging and Pin Configuration  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
SOT-23F  
4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (pulsed)  
Power dissipation  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
±20  
(Note 1)  
(Note 1,2)  
(Note 3)  
(Note 3)  
3
A
IDP  
8
PD  
1
2
W
W
Power dissipation  
(t ≤ 10 s)  
PD  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
Tstg  
150  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150.  
Note 2: Pulse width (PW) ≤ 10 ms, duty ≤ 1%  
Note 3: Device mounted on a FR4 board.(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
2012-11-14  
Rev.1.0  
1
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与SSM3K336R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K337R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET + Active Clamp Zener, 38 V, 2.0 A
SSM3K339R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 40 V, 2.0 A, 0.198 Ω@4.5V, SOT-2
SSM3K341R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 60 V, 6.0 A, 0.036 Ω@10V, SOT-23
SSM3K341TU TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 60 V, 6.0 A, 0.036 Ω@10V, SOT-32
SSM3K344R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 20 V, 3.0 A, 0.071 Ω@4.5V, SOT-2
SSM3K345R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 20 V, 4.0 A, 0.033 Ω@4.5V, SOT-2
SSM3K347R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET + Active Clamp Zener, 38 V, 2.0 A
SSM3K357R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 60 V, 0.65 A, SOT-23F
SSM3K35AFS TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 20 V, 0.25 A, 1.1 Ω@4.5V, SOT-41
SSM3K35AMFV TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 20 V, 0.25 A, 1.1 Ω@4.5V, SOT-72

与SSM3K336R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证