5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3K329R,LF
SSM3K329R,LF PDF预览

SSM3K329R,LF

更新时间： 2024-02-09 21:34:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 216K
描述
MOSFET, SOT23F

阅读下载

中文翻译

获取价格

SSM3K329R,LF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：unknown
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.69
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.126 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3K329R,LF 数据手册

 浏览型号SSM3K329R,LF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM3K329R,LF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM3K329R,LF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM3K329R,LF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM3K329R,LF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SSM3K329R,LF的Datasheet PDF文件第7页 
SSM3K329R  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type  
SSM3K329R  
○Power Management Switch Applications  
○High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
+0.08  
-0.05  
0.42  
+0.08  
-0.07  
0.17  
0.05ꢀM A  
•
•
1.8-V drive  
3
Low ON-resistance: R  
= 289 mΩ (max) (@V  
= 1.8 V)  
= 2.5 V)  
= 4.0 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
: R  
: R  
= 170 mΩ (max) (@V  
= 126 mΩ (max) (@V  
1
2
0.95  
0.95  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
2.9±0.2  
A
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
30  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
±12  
GSS  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
DC  
I
3.5  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
7.0  
DP  
P
(Note 1)  
1
2
D
SOT-23F  
Power dissipation  
W
t = 10s  
JEDEC  
―
―
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
JEITA  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
TOSHIBA  
2-3Z1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 11 mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: The channel temperature should not exceed 150°C during use.  
Note 2: Mounted on a FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
1
2010-06-10  
1234567

中文翻译

下载PDF

与SSM3K329R,LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K329R,LF(A TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM3K329R,LNKEMF(A TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
SSM3K333R UTC

获取价格

 		6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K333R TOSHIBA

获取价格

 		N-ch MOSFET, 30 V, 6.0 A, 0.028 Ω@10V, SOT-23
SSM3K333R,LF TOSHIBA

获取价格

 		MOSFET, SOT23F
SSM3K333R_15 UTC

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K333RG-AE3-R UTC

获取价格

 		6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K333RL-AE3-R UTC

获取价格

 		6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET
SSM3K335R TOSHIBA

获取价格

 		Power Management Switches DC-DC Converters
SSM3K336R TOSHIBA

获取价格

 		Power Management Switches DC-DC Converters

与SSM3K329R,LF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证