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SSM3K16CTC

更新时间： 2024-10-01 13:01:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 153K
描述
SMALL SIGNAL, FET

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SSM3K16CTC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：2.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM3K16CTC 数据手册

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SSM3K16CT  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type  
SSM3K16CT  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
Analog Switch Applications  
•
•
Suitable for high-density mounting due to compact package  
0.6±0.05  
0.5±0.03  
Low ON-resistance  
: R = 3.0 Ω (max) (@V  
= 4 V)  
on  
GS  
GS  
GS  
: R = 4.0 Ω (max) (@V  
= 2.5 V)  
= 1.5 V)  
on  
: R = 15 Ω (max) (@V  
on  
３
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
１
２
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
±10  
V
V
DS  
0.05±0.03  
0.35±0.02  
0.15±0.03  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
DC  
I
100  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
200  
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
(Note 1)  
100  
mW  
°C  
D
CST3  
T
ch  
150  
Storage temperature  
T
stg  
−55~150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
-
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
-
TOSHIBA  
2-1J1B  
Weight: 0.75 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on FR4 board  
(10 mm × 10 mm × 1.0 t, Cu Pad: 100 mm )  
2
Marking (Top View)  
Pin Condition (Top View)  
Equivalent Circuit  
Polarity mark  
Polarity mark (on the top)  
3
1
3
SC  
2
1. Gate  
1
2
2. Source  
3. Drain  
*Electrodes: on the bottom  
Handling Precaution  
When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, ensure that the environment is protected  
against electrostatic discharge. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come  
into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
1
2007-11-01  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3K16FS TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications
SSM3K16FU TOSHIBA

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 		High Speed Switching Applications Analog Switching Applications
SSM3K16FU(TE85LF) TOSHIBA

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SSM3K16FU,LF(T TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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