SSM3J01F

更新时间： 2024-11-19 22:14:15

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
High Speed Switching Applications

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SSM3J01F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	2-3F1F, S-MINI, TO-236MOD, SC-59, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.7 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSM3J01F 数据手册

SSM3J01F

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

SSM3J01F

High Speed Switching Applications

Unit: mm

Small package

Low on resistance : Ron = 0.4 Ω (max) (V

: Ron = 0.6 Ω (max) (V

= −4 V)

= −2.5 V)

Low gate threshold voltage

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

-30

±10

GSS

Drain current

-700

-1400

200

Pulse

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

°C

stg

150

Storage temperature range

-55~150

°C

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

SC-59

TOSHIBA

2-3F1F

Weight: 0.012 g (typ.)

Marking

Equivalent Circuit

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment

is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other

objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.

2003-03-27

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