5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SSM3J113TU
SSM3J113TU PDF预览

SSM3J113TU

更新时间： 2024-10-28 03:51:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 128K
描述
Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

SSM3J113TU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.449 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3J113TU 数据手册

 浏览型号SSM3J113TU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SSM3J113TU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SSM3J113TU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SSM3J113TU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SSM3J113TU的Datasheet PDF文件第6页 
SSM3J113TU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type  
SSM3J113TU  
High Speed Switching Applications  
•
2.0V drive  
Unit: mm  
•
Low on-resistance:  
R
on  
R
on  
R
on  
= 449mΩ (max) (@V  
= 249mΩ (max) (@V  
= 169mΩ (max) (@V  
= −2.0 V)  
= −2.5 V)  
= −4.0 V)  
GS  
GS  
GS  
2.1±0.1  
1.7±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1
Characteristic  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
3
2
V
−20  
± 12  
V
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
DC  
I
−1.7  
−3.4  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
P
P
800  
D (Note 1)  
D (Note 2)  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
mW  
500  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
1: Gate  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
2: Source  
3: Drain  
UFM  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-2U1A  
Weight: 6.6 mg (typ.)  
Note 1: Mounted on ceramic board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm, Cu Pad: 645 mm2 )  
Note 2: Mounted on FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2 )  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
I
I
= −1 mA, V  
= −1 mA, V  
= 0  
−20  
−8  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
−1  
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
Drain-Source breakdown voltage  
= +12V  
GS  
Drain cut-off current  
I
V
V
V
V
= −20 V, V = 0  
GS  
⎯
μA  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ±12V, V = 0  
⎯
−0.5  
1.3  
⎯
⎯
⎯
±1  
−1.1  
⎯
GSS  
DS  
V
= −3 V, I = −0.1 mA  
th  
D
⏐Y ⏐  
= −3 V, I =− 0.65 A  
(Note3)  
(Note3)  
2.7  
129  
S
fs  
D
I
= −0.65 A, V  
= −4.0 V  
169  
D
GS  
Drain-Source on-resistance  
R
mΩ  
DS (ON)  
I
I
= −0.65 A, V  
= −0.65 A, V  
= −2.5 V  
= −2.0 V  
(Note3)  
(Note3)  
⎯
⎯
189  
249  
249  
449  
D
D
GS  
GS  
Input capacitance  
C
V
V
V
= −10 V, V  
= −10 V, V  
= −10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
370  
116  
73  
⎯
⎯
⎯
⎯
pF  
pF  
iss  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
Output capacitance  
C
oss  
pF  
ns  
V
Reverse transfer capacitance  
C
rss  
on  
Turn-on time  
Switching time  
t
t
33  
V
V
= −10 V, I = −0.65 A,  
D
DD  
GS  
= 0~−2.5 V, R = 4.7 Ω  
G
Turn-off time  
47  
⎯
off  
Drain-Source forward voltage  
Note3: Pulse test  
V
I
= 1.7 A, V = 0 V  
GS  
(Note3)  
0.77  
1.2  
DSF  
D
1
2007-11-01  
123456

中文翻译

下载PDF

与SSM3J113TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3J113TU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin
SSM3J114TU TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications
SSM3J114TU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.8A I(D),SC-70VAR
SSM3J115TU TOSHIBA

获取价格

 		Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Power
SSM3J117TU TOSHIBA

获取价格

 		Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications
SSM3J117TU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
SSM3J118TU TOSHIBA

获取价格

 		Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications
SSM3J118TU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin
SSM3J120TU TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch Applications Hi
SSM3J120TU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Vds=-20V Id=-4A 3Pin

与SSM3J113TU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证