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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM3J130TU
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SSM3J130TU

更新时间： 2024-10-28 06:14:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 186K
描述
Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

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SSM3J130TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：4.4 A
最大漏源导通电阻：0.0632 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3J130TU 数据手册

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SSM3J130TU  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)  
SSM3J130TU  
○Power Management Switch Applications  
•
•
1.5 V drive  
Low ON-resistance:R  
Unit: mm  
= 63.2 mΩ (max) (@V  
= 41.1 mΩ (max) (@V  
= 31.0 mΩ (max) (@V  
= 25.8 mΩ (max) (@V  
= -1.5 V)  
= -1.8 V)  
= -2.5 V)  
= -4.5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
R
R
R
2.1±0.1  
1.7±0.1  
1
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
-20  
Unit  
V
3
V
V
DSS  
Gate-Source voltage  
± 8  
V
GSS  
DC  
I
-4.4  
-8.8  
800  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
P
P
(Note 1)  
(Note 2)  
D
D
Drain power dissipation  
mW  
500  
150  
1: Gate  
Channel temperature  
T
°C  
°C  
ch  
2: Source  
3: Drain  
Storage temperature range  
T
stg  
-55 to 150  
UFM  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-2U1A  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on a ceramic board.  
Weight: 6.6 mg (typ.)  
(25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Note 2: Mounted on an FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
3
3
JJC  
1
2
1
2
1
2009-05-11  
123456

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