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SSM3J02T

更新时间： 2024-10-27 22:14:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

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SSM3J02T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：2-3S1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM3J02T 数据手册

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SSM3J02T  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type  
SSM3J02T  
Power Management Switch  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
·
·
·
Component package suitable for high-density mounting  
Small Package  
Low ON Resistance : R = 0.5 Ω (max) (@V  
on  
= −4 V)  
GS  
: R = 0.7 Ω (max) (@V  
on  
= −2.5 V)  
GS  
·
Low-voltage operation possible  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source voltage  
Gate-Source voltage  
DC  
V
-30  
±10  
-1.5  
V
V
DS  
V
GSS  
I
D
Drain current  
A
I
DP  
(Note2)  
Pulse  
-3.0  
P
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
1250  
mW  
(Note1)  
Channel temperature  
Storage temperature range  
T
T
150  
-55 to 150  
°C  
°C  
ch  
TOSHIBA  
2-3S1A  
stg  
Weight: 10 mg (typ.)  
Note1: Mounted on FR4 board  
(25.4 mm ´ 25.4 mm ´ 1.6 t, Cu pad: 645 mm2, t = 10 s)  
Note2: The pulse width limited by max channel temperature.  
Marking  
Equivalent Circuit  
3
3
D D  
1
2
1
2
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment  
is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other  
objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
1
2002-01-17  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM3J05FU TOSHIBA

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SSM3J09FU TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
SSM3J09FU(T5LPED,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SSM3J09FU(T5LSAN,F TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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