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SKM600GA126D

更新时间： 2024-09-15 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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5页 878K
描述
Trench IGBT Modules

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SKM600GA126D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：660 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X4JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-60747-1
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：760 ns
标称接通时间 (ton)：395 nsBase Number Matches：1

SKM600GA126D 数据手册

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SKM 600GA126D  
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11-09-2006 RAA  
© by SEMIKRON  
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