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SKM600GA176D

更新时间： 2024-11-06 04:04:27

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Trench IGBT Modules

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SKM600GA176D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	660 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	IEC-60747-1
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1050 ns	标称接通时间 (ton)：	360 ns
VCEsat-Max：	2.45 V	Base Number Matches：	1

SKM600GA176D 数据手册

SKM 600GA176D

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Characteristics

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12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKM600GA176D_09	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SKM600GA176D_10	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SKM600GA17E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 4 (106x62x37)
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SKM600GAL126D	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Module
SKM600GAL126DT	SEMIKRON	获取价格	暂无描述
SKM600GAL12T4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SKM600GAR07E3	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM600GAR126DT	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D58, 7 PIN

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