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SKM600GA17E4

更新时间： 2024-11-07 14:55:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 625K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 4 (106x62x37)

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SKM600GA17E4 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
Base Number Matches：1

SKM600GA17E4 数据手册

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SKM600GA17E4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1700  
972  
740  
600  
1800  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
SEMITRANS® 4  
IGBT4 Modules  
SKM600GA17E4  
Features*  
VCC = 1000 V  
V
V
GE ≤ 15 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
CES ≤ 1700 V  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1700  
629  
463  
1200  
3420  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• IGBT4 = 4th generation medium fast  
trench IGBT (Infineon)  
-40 ... 175  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
• CAL4 = Soft switching 4th generation  
CAL-Diode  
• Insulated copper baseplate using DBC  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• With integrated Gate resistor  
• For switching frequencies up to 8kHz  
• UL recognized, file no. E63532  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
Visol  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications  
• AC inverter drives  
• UPS  
IC = 600 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.90  
2.32  
2.20  
2.60  
V
V
• Electronic welders  
• Switched reluctance motor  
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
1.10  
1.00  
1.33  
2.2  
1.20  
1.10  
1.67  
2.5  
6.4  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
Remarks  
chiplevel  
• Case temperature limited to TC = 125°C  
max.  
VGE = 15 V  
chiplevel  
• Recommended Tj,op = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid for Tj =  
150°C  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
VGE=VCE, IC = 24 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1700 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5.2  
5.8  
5
47.2  
1.72  
1.52  
4800  
1.3  
213  
78  
258  
908  
184  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 1200 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 600 A  
V
GE = +15/-15 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 2 Ω  
G off = 2 Ω  
di/dton = 7580 A/µs  
di/dtoff = 2830 A/µs  
dv/dt = 5420 V/µs  
Tj = 150 °C  
Eoff  
246  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
per IGBT, pre-applied phase change  
material  
0.042  
K/W  
K/W  
0.021  
0.013  
Rth(c-s)  
K/W  
GA  
© by SEMIKRON  
Rev. 3.0 – 27.04.2021  
1
123456

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SKM600GAE12E4 SEMIKRON

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 		暂无描述
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