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SKM600GB12E4

更新时间： 2024-11-06 19:49:55

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅
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6页	643K
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SKM600GB12E4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
Base Number Matches：	1

SKM600GB12E4 数据手册

SKM600GB12E4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

860

702

600

1800

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

SEMITRANS^®3

V_CC= 800 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

IGBT4 Modules

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

623

466

500

1200

SKM600GB12E4

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

Target Data

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

Features

• IGBT4 = 4th generation medium fast

trench IGBT (Infineon)

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

2736

-40 ... 175

°C

• CAL4 = Soft switching 4th generation

CAL-diode

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Insulated copper baseplate using DBC

technology (Direct Bonded Copper)

• Increased power cycling capability

• With integrated gate resistor

• For higher switching frequencies up to

12kHz

500

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

V_isol

Characteristics

• UL recognized, file no. E63532

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

I_C= 600 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.80

2.20

2.05

2.42

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

Remarks

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

1.67

2.5

0.90

0.80

1.92

2.7

6.5

mΩ

• Case temperature limited to

T_c= 125°C max, recomm.

chiplevel

_op= -40 ... +150°C, product

V_GE= 15 V

chiplevel

rel. results valid for T_j= 150°

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 24 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.8

37.2

2.32

2.04

3400

1.3

156

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 600 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1.8 Ω

_{G off}= 1 Ω

522

138

di/dt_on= 9100 A/µs

di/dt_off= 4000 A/µs

du/dt = 3500 V/µs

L_s= 25 nH

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.049

K/W

0.032

0.016

R_th(c-s)

K/W

Rev. 0.4 – 01.03.2019

12 3 4 5 6

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