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SKM75GAL063D

更新时间： 2024-11-17 22:43:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 600K
描述
Superfast NPT-IGBT Modules

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SKM75GAL063D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：350 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：385 ns
标称接通时间 (ton)：110 nsVCEsat-Max：2.5 V

SKM75GAL063D 数据手册

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SKM 75GB063D ...  
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-
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SKM 75GB063D  
SKM 75GAR063D  
SKM 75GAL063D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Mechanical data  
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1
19-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
1234

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与SKM75GAL063D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM75GAL101D SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
SKM75GAL121D SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SKM75GAL123D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM75GAR063D SEMIKRON

获取价格

 		Superfast NPT-IGBT Modules
SKM75GAR101D SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
SKM75GAR121D SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SKM75GAR123D SEMIKRON

获取价格

 		SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM75GB063D SEMIKRON

获取价格

 		Superfast NPT-IGBT Modules
SKM75GB063D_06 SEMIKRON

获取价格

 		Superfast NPT-IGBT Modules
SKM75GB063D_07 SEMIKRON

获取价格

 		Superfast NPT-IGBT Modules

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