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SKM75GAL123D

更新时间: 2024-11-20 22:18:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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1页 109K
描述
SEMITRANS IGBT Modules New Range

SKM75GAL123D 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:CASE D62, SEMITRANS 2, 5 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7JESD-609代码:e3/e4
元件数量:1端子数量:7
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):400 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN/SILVER端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):450 ns标称接通时间 (ton):100 ns
VCEsat-Max:3 VBase Number Matches:1

SKM75GAL123D 数据手册

  

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