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SKM75GB176DN

更新时间： 2024-11-17 04:04:27

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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Trench IGBT Modules

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SKM75GB176DN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	JESD-609代码：	e2
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	950 ns	标称接通时间 (ton)：	240 ns
Base Number Matches：	1

SKM75GB176DN 数据手册

SKM 75GB176DN

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Trench IGBT Modules

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Characteristics

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14-06-2005 SEN

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