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SKM75GD123DL

更新时间： 2024-11-17 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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4页 648K
描述
Trench IGBT Modules

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SKM75GD123DL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X17元件数量：6
端子数量：17最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：350 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：100 ns
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

SKM75GD123DL 数据手册

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SKM 75GD123D  
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1
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Trench IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢐ
min.  
typ.  
max. Units  
SKM 75GD123DL  
SKM 75GD123D  
SKM 75GDL123D  
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Features  
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4
ꢚ
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ꢎ
GD  
GDL  
1
26-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
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