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SKM800GA125D

更新时间: 2024-11-19 22:41:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
Ultrafast IGBT Modules

SKM800GA125D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):760 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SKM800GA125D 数据手册

 浏览型号SKM800GA125D的Datasheet PDF文件第2页 
SKM 800GA125D  
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Ultrafast IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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1
14-06-2005 SEN  
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