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SKM800GA126D

更新时间： 2024-11-17 22:41:11

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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Trench IGBT Modules

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SKM800GA126D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	960 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	995 ns	标称接通时间 (ton)：	320 ns
VCEsat-Max：	2.15 V

SKM800GA126D 数据手册

SKM 800GA126D

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Characteristics

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14-06-2005 SEN

12 3 4

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SKM800GA126D_09	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
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SKM87	ETC	获取价格	GPS模组
SKM900GA12E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 4 (106x62x37)
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