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SKM800GA176D

更新时间: 2024-11-18 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 664K
描述
Trench IGBT Modules

SKM800GA176D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:2.24其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):830 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1190 ns
标称接通时间 (ton):320 nsVCEsat-Max:2.45 V
Base Number Matches:1

SKM800GA176D 数据手册

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SKM 800GA176D  
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