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SKM75GB12F4

更新时间： 2024-09-17 14:53:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 538K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 2 (94x34x30)

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SKM75GB12F4 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
Base Number Matches：1

SKM75GB12F4 数据手册

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SKM75GB12F4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
113  
87  
75  
150  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 2 x ICnom  
VCC = 800 V  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 2  
High Speed IGBT4 Modules  
SKM75GB12F4  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1200  
98  
72  
V
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
75  
150  
430  
A
A
A
°C  
Features*  
• High speed trench and field-stop IGBT  
• CAL4 ultra-fast = soft switching 4.  
generation CAL-diode  
IFRM = 2xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
-40 ... 175  
• Insulated copper baseplate using DBC  
technology (Direct Bonded Copper)  
• Increased power cycling capability  
• For higher switching frequencies above  
15kHz  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
200  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
Visol  
• UL recognized, file no. E63532  
Characteristics  
Typical Applications  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• UPS  
• Electronic welders  
• Inductive heating  
• Switched mode power supplies  
IC = 75 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
2.08  
2.60  
2.41  
2.93  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Remarks  
• Case temperature limited  
to Tc = 125°C max.  
• Recommended Top = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid  
for Tj = 150°C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
1.10  
0.95  
13  
22  
5.8  
1.28  
1.13  
15  
24  
6.4  
1
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
VGE=VCE, IC = 2.6 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1200 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5.2  
4.4  
0.29  
0.24  
425  
0
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 600 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
9
21  
6.8  
285  
61  
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
I
C = 75 A  
V
GE = +15/-15 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 6.2 Ω  
G off = 6.2 Ω  
di/dton = 3750 A/µs  
di/dtoff = 1100 A/µs  
dv/dt = 5370 V/µs  
Ls = 25 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
5.3  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
0.325  
K/W  
K/W  
0.143  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 1.0 – 07.11.2019  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM75GB12T4 SEMIKRON

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 		IGBT4 Modules
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