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SKM600GB07E3

更新时间： 2024-11-19 14:53:43

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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6页	573K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)

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SKM600GB07E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Base Number Matches：	1

SKM600GB07E3 数据手册

SKM600GB07E3

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

650

852

644

600

1800

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

V_CC= 360 V

SEMITRANS^®3

Trench IGBT Modules

SKM600GB07E3

_GE≤ 15 V

_CES≤ 650 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

650

812

595

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

600

°C

Features*

I_FRM= 2 x I_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1200

4320

-40 ... 175

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability, self limiting

to 6 x I_cnom

• Fast & soft switching inverse CAL

diodes

• Insulated copper baseplate using DCB

Technology (Direct Copper Bonding)

• With integrated gate resistor

Module

I_t(RMS)

T_stg

500

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

V_isol

Characteristics

Typical Applications

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders

I_C= 600 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.45

1.70

1.90

2.10

_GE= 15 V

Remarks

• Case temperature limited

to T_c= 125°C max.

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.90

0.82

0.92

1.47

5.8

1.00

0.90

1.50

2.00

6.4

mΩ

chiplevel

• Recommended T_op= -40 ... +150°C

• Product reliability results valid

for T_j= 150°C

V_GE= 15 V

chiplevel

• Use of soft R_Gnecessary

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 9.6 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 650 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.1

0.3

37.0

2.32

1.10

4800

0.5

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 300 V

T_j= 150 °C

121

1100

_C= 600 A

_GE= +15/-7.5 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 3 Ω

_{G off}= 4.3 Ω

di/dt_on= 4900 A/µs

di/dt_off= 6700 A/µs

dv/dt = 1330 V/µs

L_s= 20 nH

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.066

K/W

0.033

0.021

R_th(c-s)

K/W

Rev. 4.0 – 29.05.2020

12 3 4 5 6

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