SKM600GAL126D

更新时间： 2024-11-18 04:04:27

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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Trench IGBT Module

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SKM600GAL126D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	660 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	IEC-60747-1	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	750 ns
标称接通时间 (ton)：	350 ns	VCEsat-Max：	2.15 V
Base Number Matches：	1

SKM600GAL126D 数据手册

SKM 600GB126D ...

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Inverse Diode

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Features

Module

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11-09-2006 SEN

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