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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-204 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 760 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| JESD-609代码： | e3/e4 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN/SILVER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 747 ns | 标称接通时间 (ton)： | 347 ns |
| VCEsat-Max： | 1.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKM600GB066D_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
|
| SKM600GB07E3 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31) |
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| SKM600GB126D | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Module |
|
| SKM600GB126D_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Module |
|
| SKM600GB12E4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SKM600GB12T4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SKM600GM12E4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SKM75GA163D | SEMIKRON |
获取价格 |
SEMITRANS IGBT Modules New Range |
|
| SKM75GAL063D | SEMIKRON |
获取价格 |
Superfast NPT-IGBT Modules |
|
| SKM75GAL101D | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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