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SKM600GAL12T4

更新时间： 2024-11-06 21:15:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
7页 666K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SKM600GAL12T4 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
Base Number Matches：1

SKM600GAL12T4 数据手册

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SKM600GAL12T4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
860  
702  
600  
1800  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
SEMITRANS® 3  
VCC = 800 V  
V
V
GE ≤ 15 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
CES ≤ 1200 V  
Tj  
-40 ... 175  
Fast IGBT4 Modules  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1200  
623  
466  
500  
1200  
V
A
A
A
A
SKM600GAL12T4  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
Target Data  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
Features*  
• IGBT4 = 4th generation fast trench  
IGBT (Infineon)  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
2736  
-40 ... 175  
A
°C  
• CAL4 = Soft switching 4th generation  
CAL-diode  
Freewheeling diode  
• Insulated copper baseplate using DBC  
technology (Direct Bonded Copper)  
• Increased power cycling capability  
• With integrated gate resistor  
• For higher switching frequencies up to  
20kHz  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1200  
707  
529  
600  
1200  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
• UL recognized, file no. E63532  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
3240  
-40 ... 175  
A
°C  
Typical Applications  
• Electronic welders at fsw up to 20 kHz  
• DC/DC – converter  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
• Brake chopper  
module without TIM  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
• Switched reluctance motor  
Visol  
Remarks  
• Case temperature limited  
to Tc = 125°C max.  
• Recommended Top = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid  
for Tj = 150°C  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 600 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.80  
2.20  
2.05  
2.42  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.80  
0.70  
1.67  
2.5  
0.90  
0.80  
1.92  
2.7  
6.5  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
VGE=VCE, IC = 24 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1200 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5
5.8  
5
37.2  
2.32  
2.04  
3400  
1.3  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 0.4 – 06.05.2019  
1
1234567

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