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SKM600GA12V

更新时间： 2024-11-18 09:24:07

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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SEMITRANS

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SKM600GA12V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	890 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

SKM600GA12V 数据手册

SKM600GA12V

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

908

692

600

1800

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 720 V

SEMITRANS^®4

_GE≤ 20 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

707

529

600

1800

3240

T_j= 175 °C

SKM600GA12V

Features

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• V-IGBT = 6. Generation Trench V-IGBT

(Fuji)

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

• CAL4 = Soft switching 4. Generation

CAL-diode

T_terminal= 80 °C

500

-40 ... 125

4000

°C

• Isolated copper baseplate using DBC

technology (Direct Copper Bonding)

• UL recognized, file no. E63532

• Increased power cycling capability

• With integrated gate resistor

• Low switching losses at high di/dt

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

I_C= 600 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.75

2.20

2.18

2.50

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Electronic welders

• Switched reluctance motor

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.94

0.88

1.35

2.20

1.04

0.98

1.9

2.53

6.5

m



Remarks

• Case temperature limited to

T_c= 125°C max, recomm.

V_GE= 15 V

_op= -40 ... +150°C, product

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 24 mA

T_j= 25 °C

5.5

rel. results valid for T_j= 150°

0.1

0.3

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

3.55

3.536

6620

1.3

710

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 600 A

_GE= ±15 V

_{G on}= 2.5 

_{G off}= 2.5 

930

di/dt_on= 9000 A/µs

di/dt_off= 6000 A/µs

du/dt_off= 6400 V/

µs

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

per IGBT

0.049

K/W

Rev. 3 – 23.03.2011

12 3 4 5

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