Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

更新时间： 2024-09-16 09:25:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关测试脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	153K
描述
100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF12N50C-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.555 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF12N50C-E3 数据手册

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50C

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V) at T_Jmax.

• Low Figure-of-Merit R_onx Q_g

560 V

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.555

• 100 % Avalanche Tested

• Gate Charge Improved

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• T_rr/Q_rrImproved

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

TO-220AB

TO-220 FULLPAK

D²PAK (TO-263)

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220AB

D²PAK (TO-263)

SiHB12N50C-E3

TO-220 FULLPAK

SiHF12N50C-E3

Lead (Pb)-free

SiHP12N50C-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

LIMIT

TO220-AB

SYMBOL D²PAK (TO-263)

TO-220

FULLPAK

PARAMETER

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

500

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

V_GSat 10 V

I_D

7.5

Pulsed Drain Current^c

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

1.67

208

0.28

W/°C

E_AS

P_D

180

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300

°C

for 10 s

Notes

a. Limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 12 A.

c. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91388

S10-0969-Rev. B, 26-Apr-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHF12N50C-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF12N60E	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
SiHF12N65E	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
SIHF12N65E-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SIHF15N60E	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
SiHF15N65E	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
SIHF16N50C-E3	VISHAY	获取价格	Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SiHF18N50D	VISHAY	获取价格	D Series Power MOSFET
SIHF18N50D-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
SIHF22N60E	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
SIHF22N60E-E3	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET

与SIHF12N50C-E3相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

8
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

7
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3 技术参数

SIHF12N50C-E3 数据手册

与SIHF12N50C-E3相关器件

与SIHF12N50C-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3 技术参数

SIHF12N50C-E3 数据手册

与SIHF12N50C-E3相关器件

与SIHF12N50C-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？