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SI5906DU-T1-GE3

更新时间： 2024-09-15 09:25:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
10页 164K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI5906DU-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.99外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.031 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI5906DU-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si5906DU  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Definition  
0.031 at VGS = 10 V  
0.040 at VGS = 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
New Thermally Enhanced PowerPAK®  
ChipFET® Package  
6
6
30  
8 nC  
- Small Footprint Area  
- Low On-Resistance  
- Thin 0.8 mm Profile  
100 % Rg Tested  
PowerPAK ChipFET Dual  
•
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Network  
D
1
D
2
•
System Power DC/DC  
Marking Code  
CD  
XXX  
Lot Traceability  
and Date Code  
G
1
G
2
Part # Code  
S
1
S
2
Bottom View  
Ordering Information: Si5906DU-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
20  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
6a  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
6a  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
6a, b, c  
5.3b, c  
25  
6a  
1.9b, c  
10.4  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 70 °C  
6.7  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
2.3b, c  
1.5b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
43  
9.5  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 5 s  
Steady State  
55  
12  
°C/W  
Notes:  
a. Package limited  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 105 °C/W.  
Document Number: 65168  
S09-1394-Rev. A, 20-Jul-09  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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