是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.084 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | PURE MATTE TIN | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI5915BDC | VISHAY |
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Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | |
SI5915BDC-T1-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | |
SI5915DC | VISHAY |
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Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5915DC-T1 | VISHAY |
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Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5915DC-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
SI5920DC | VISHAY |
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Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | |
SI5920DC-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET | |
SI5920DC-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 8V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox | |
Si5922DU | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI5933CDC | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |