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SI5915DC-T1-GE3

更新时间： 2024-09-15 14:44:43

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威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	114K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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SI5915DC-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (ID)：	3.4 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI5915DC-T1-GE3 数据手册

Si5915DC

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 4.6

- 3.7

- 3.0

Definition

0.070 at V_GS= - 4.5 V

0.108 at V_GS= - 2.5 V

0.162 at V_GS= - 1.8 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

Low Thermal Resistance

40 % Smaller Footprint than TSOP-6

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 8

APPLICATIONS

Load Switch or PA Switch for Portable Devices

1206-8 ChipFET^®

•

Marking Code

DE XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Bottom View

Ordering Information: Si5915DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

P-Channel MOSFET

Si5915DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 8

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

- 4.6

- 3.3

- 3.4

- 2.5

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

I_DM

I_S

- 10

- 1.8

2.1

- 0.9

1.1

T_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_A= 85 °C

1.1

0.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

110

Maximum Junction-to-Ambient^a

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJF

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result

of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure ade-

quate bottom side solder interconnection.

c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 70693

S10-0936-Rev. C, 19-Apr-10

www.vishay.com

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