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SI5920DC-T1-GE3 PDF预览

SI5920DC-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 19:53:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 234K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 8V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, COMPACT, PLASTIC, 1206-8, CHIPFET-8

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SI5920DC-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.12 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI5920DC-T1-GE3 数据手册

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Si5920DC  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 1.5 V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
4a  
4a  
4a  
4a  
0.032 at VGS = 4.5 V  
0.036 at VGS = 2.5 V  
0.045 at VGS = 1.8 V  
0.054 at VGS = 1.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET: 1.5 V Rated  
Ultra Low On-Resistance in Compact,  
Thermally Enhanced ChipFET® Package  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
8
7.3 nC  
•
APPLICATIONS  
1206-8 ChipFET® (Dual)  
•
Load Switch for Portable Applications  
- Guaranteed Operation at VGS = 1.5 V Critical for  
Optimized Design and Space Savings  
1
S
1
D
1
D
2
D
G
1
1
D
S
1
2
Marking Code  
D
G
2
2
CD XXX  
G
1
G
2
D
Lot Traceability  
and Date Code  
2
Part #  
Code  
Bottom View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si5920DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si5920DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
VGS  
8
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
5
4a  
4a  
4a  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4a  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
25  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.6  
Continuous Source-Drain Diode Current  
1.7c  
3.12  
2.0  
2.04b, c  
1.3b, c  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
PD  
W
Maximum Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
50  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
t ≤ 5 s  
Steady State  
60  
40  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
30  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The 1206-8 ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 90 °C/W.  
Document Number: 73490  
S10-0548-Rev. D, 08-Mar-10  
www.vishay.com  
1
1234567...11

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与SI5920DC-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si5922DU VISHAY

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 		Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI5933CDC VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5933CDC-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5933CDC-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2.5 A, 20 V, 0.144 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE A
SI5933DC VISHAY

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 		Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5935CDC VISHAY

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