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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI5933CDC-T1-E3
SI5933CDC-T1-E3 PDF预览

SI5933CDC-T1-E3

更新时间： 2024-11-06 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 144K
描述
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI5933CDC-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：0.144 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI5933CDC-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si5933CDC  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
- 3.7  
Qg (Typ.)  
•
0.144 at VGS = - 4.5 V  
0.180 at VGS = - 2.5 V  
0.222 at VGS = - 1.8 V  
RoHS  
- 20  
- 3.0  
4.1 nC  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
Load Switch for Portable Devices  
- 3.0  
•
1206-8 ChipFET®  
1
S
1
S
2
S1  
D1  
G1  
D1  
S2  
G
1
G
2
Marking Code  
D2  
G2  
DI XXX  
Lot Traceability  
and Date Code  
D2  
Part #  
Code  
D
1
D
2
Bottom View  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si5933CDC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
8
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
- 3.7  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 3.0  
- 2.5b, c  
- 2.0b, c  
- 10  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
- 2.3  
- 1.1b, c  
2.8  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
A = 25 °C  
C = 25 °C  
T
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.8  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.3b, c  
0.8b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Symbol  
RthJA  
Typical  
82  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
99  
45  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
35  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required  
to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 130 °C/W.  
Document Number: 68822  
S-81731-Rev. A, 04-Aug-08  
www.vishay.com  
1
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与SI5933CDC-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI5933CDC-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2.5 A, 20 V, 0.144 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE A
SI5933DC VISHAY

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 		Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5935CDC VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5935CDC-T1-E3 VISHAY

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