是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.1 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.1 W | 子类别: | Other Transistors |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI5980DU-T1-GE3 | VISHAY |
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DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI5997DU-T1-GE3 | VISHAY |
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DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI-5L1.441G | HITACHI |
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Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max, | |
SI-5L1.441G-T | HITACHI |
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Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max, | |
SI-5L1.747G | HITACHI |
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Isolator, 1710MHz Min, 1785MHz Max, | |
SI-5L1.747G-T | HITACHI |
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Isolator, 1710MHz Min, 1785MHz Max, | |
SI-5L1.880G | HITACHI |
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Isolator, 1850MHz Min, 1910MHz Max, | |
SI-5L1.880G-T | HITACHI |
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Isolator, 1850MHz Min, 1910MHz Max, | |
SI-5L2.140G | HITACHI |
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Isolator, 2110MHz Min, 2170MHz Max, | |
SI-5L2.140G-T | HITACHI |
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Isolator, 2110MHz Min, 2170MHz Max, |