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SI5997DU-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:18:23

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威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
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9页	165K
描述
DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI5997DU-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C6
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.054 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-C6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	10.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI5997DU-T1-GE3 数据手册

Si5997DU

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

- 6^a

•

TrenchFET^®Power MOSFET

0.054 at V_GS= - 10 V

0.088 at V_GS= - 4.5 V

- 30

4.8 nC

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

ChipFET^®Package

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

- Thin 0.8 mm Profile

PowerPAK ChipFET Dual

•

100 % R_gTested

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converters

Marking Code

DF XXX

Lot Traceability

and Date Code

Part #

Code

Bottom View

Ordering Information: Si5997DU-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Limit

- 30

Unit

V_GS

- 6^a

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 5.1^{b, c}

- 4.1^{b, c}

- 25

- 6^a

- 1.9^{b, c}

10.4

Pulsed Drain Current (t = 300 µs)

I_DM

I_S

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

T_C= 70 °C

_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

6.7

P_D

Maximum Power Dissipation

2.3^{b, c}

1.5^{b, c}

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

t  5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

9.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under steady state conditions is 105 °C/W.

Document Number: 67186

S10-2762-Rev. A, 29-Nov-10

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI-5L1.441G-T	HITACHI	获取价格	Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max,
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SI-5L2.140G	HITACHI	获取价格	Isolator, 2110MHz Min, 2170MHz Max,
SI-5L2.140G-T	HITACHI	获取价格	Isolator, 2110MHz Min, 2170MHz Max,
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