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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> SI5975DC-T1
SI5975DC-T1 PDF预览

SI5975DC-T1

更新时间： 2024-11-05 22:17:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SI5975DC-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
子类别：Other TransistorsBase Number Matches：1

SI5975DC-T1 数据手册

 浏览型号SI5975DC-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI5975DC-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI5975DC-T1的Datasheet PDF文件第4页 
Si5975DC  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V
(V)  
r
(Ω)  
I (A)  
D
DS  
DS(on)  
0.086 @ V = --4.5 V  
-- 4 . 1  
GS  
-- 1 2  
0.127 @ V = --2.5 V  
-- 3 . 4  
-- 3 . 0  
GS  
0.164 @ V = --1.8 V  
GS  
S
1
S
2
1206-8 ChipFETt  
1
S
1
G
G
2
1
D
1
G
1
D
1
S
2
Marking Code  
XX  
D
2
G
2
DD  
D
2
Lot Traceability  
and Date Code  
D
D
2
1
Part # Code  
Bottom View  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si5975DC-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-- 1 2  
DS  
V
V
GS  
8  
T
= 25_C  
= 85_C  
-- 3 . 1  
-- 2 . 2  
-- 4 . 1  
-- 3 . 0  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
-- 1 0  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-- 1 . 8  
2.1  
-- 0 . 9  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.1  
0.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
--55 to 150  
260  
J
stg  
_C  
b, c  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
90  
30  
60  
110  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation  
process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bottom side solder intercon-  
nection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
www.vishay.com  
Document Number: 71320  
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02  
2-1  
1234

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与SI5975DC-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI5975DC-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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SI5997DU-T1-GE3 VISHAY

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SI-5L1.441G HITACHI

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SI-5L1.441G-T HITACHI

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 		Isolator, 1850MHz Min, 1910MHz Max,
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 		Isolator, 2110MHz Min, 2170MHz Max,

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