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SI5858DU-T1-E3

更新时间： 2024-09-13 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
10页 144K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI5858DU-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：8.3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI5858DU-T1-E3 数据手册

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Si5858DU  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
D LITTLE FOOTr Plus Power MOSFET  
D New Thermally Enhanced PowerPAKr  
ChipFETr Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a Qg (Typ)  
0.039 @ V = 4.5 V  
GS  
6
COMPLIANT  
20  
6 nC  
– Small Footprint Area  
0.045 @ V = 2.5 V  
6
6
GS  
– Low On–Resistance  
0.055 @ V = 1.8 V  
GS  
– Thin 0.8mm Profile  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
APPLICATIONS  
Vf (V)  
VKA (V)  
IF (A)a  
D Load Switch for Portable Applications  
Diode Forward Voltage  
– Ideal for Boost Circuits  
20  
0.375 @ 1 A  
1
PowerPAK ChipFET Dual  
K
D
A
A
D
K
S
K
G
G
D
Marking Code  
XXX  
JB  
Lot Traceability  
and Date Code  
S
A
N-Channel MOSFET  
Part # Code  
Bottom View  
Ordering Information: Si5858DU-T1–E3 (Lead (Pb) Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
V
20  
20  
DS  
V
KA  
V
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
V
GS  
"8  
a
T
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
6
C
C
a
6
Continuous Drain Current (T = 150_C) (MOSFET)  
I
J
D
b, c  
7.2  
b, c  
5.8  
T
A
T
A
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
I
I
20  
A
DM  
T
= 25_C  
= 25_C  
6.9  
b, c  
1.9  
C
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
I
S
T
A
b
Average Foward Current (Schottky)  
Pulsed Foward Current (Schottky)  
I
1
F
7
FM  
T
T
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
= 25_C  
= 70_C  
8.3  
C
5.3  
b, c  
2.3  
b, c  
1.5  
C
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
P
W
W
D
T
A
T
A
T
C
T
C
7.8  
5
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
P
D
T
A
2.1  
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
260  
_C  
_C  
stg  
d, e  
Soldering Recommendation (Peak Temperature)  
Document Number: 73460  
S–51931—Rev. A, 12-Sep-05  
www.vishay.com  
1
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与SI5858DU-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI5858DU-T1-GE3 VISHAY

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