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SI5902DC

更新时间： 2024-10-29 22:33:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI5902DC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：2.9 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI5902DC 数据手册

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Si5902DC  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V
(V)  
r
(Ω)  
I (A)  
D
DS  
DS(on)  
0.085 @ V = 10 V  
3.9  
3.0  
GS  
30  
0.143 @ V = 4.5 V  
GS  
D
D
2
1
1206-8 ChipFETt  
1
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
G
G
2
1
D
2
G
2
Marking Code  
CA XX  
D
2
Lot Traceability  
and Date Code  
S
S
Part # Code  
1
2
Bottom View  
Ordering Information: Si5902DC-T1  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
GS  
V
V
20  
T
= 25_C  
= 85_C  
3.9  
2.8  
2.9  
2.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
10  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2.1  
1.1  
0.9  
1.1  
0.6  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
--55 to 150  
260  
J
stg  
_C  
b, c  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
90  
30  
60  
110  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation  
process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bottom side solder intercon-  
nection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71053  
S-21251—Rev. A, 05-Aug-02  
www.vishay.com  
2-7  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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