是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.68 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 8 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A |
最大漏极电流 (ID): | 4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.08 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-C8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3.1 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | PURE MATTE TIN | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI5905DC | VISHAY |
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Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5905DC-T1 | VISHAY |
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Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | |
SI5905DC-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 8V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-ox | |
SI5905DC-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 8V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-ox | |
SI5906DU | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI5906DU-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI5908DC | VISHAY |
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI5908DC_06 | VISHAY |
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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI5908DC_10 | VISHAY |
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Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | |
SI5908DC-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |