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SI5903DC-T1-E3

更新时间： 2024-10-30 21:20:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	113K
描述
TRANSISTOR 2100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8, FET General Purpose Small Signal

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SI5903DC-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.1 A	最大漏极电流 (ID)：	2.1 A
最大漏源导通电阻：	0.155 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-C8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI5903DC-T1-E3 数据手册

Si5903DC

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

2.9

Definition

0.155 at V_GS= - 4.5 V

0.180 at V_GS= - 3.6 V

0.260 at V_GS= - 2.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFETs

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 20

2.7

2.2

1206-8 ChipFET^®

Marking Code

DA XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Bottom View

Ordering Information: Si5903DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si5903DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

- 20

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

2.9

2.1

1.5

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

2.1

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

- 1.8

2.1

- 0.9

1.1

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

1.1

0.6

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

110

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result

of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure

adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 71054

S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10

www.vishay.com

12 3 4 5

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SI5903DC-T1-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZXMD63P02XTA	DIODES	功能相似	DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
NTHD4401PT1G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET

与SI5903DC-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI5904DC	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI5904DC_08	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI5904DC_10	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
SI5904DC-T1	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI5904DC-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI5904DC-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
SI5905BDC	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI5905BDC-T1-E3	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI5905DC	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5905DC-T1	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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