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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI5904DC-T1-E3
SI5904DC-T1-E3 PDF预览

SI5904DC-T1-E3

更新时间： 2024-10-30 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI5904DC-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 A
最大漏极电流 (ID)：3.1 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI5904DC-T1-E3 数据手册

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Si5904DC  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Available  
D 2.5-V Rated  
D Lead (Pb)-Free Version is RoHS  
0.075 @ V = 4.5 V  
"4.2  
"3.1  
GS  
20  
Compliant  
0.134 @ V = 2.5 V  
GS  
1206-8 ChipFETt  
D
1
D
2
1
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
G
G
2
1
D
2
G
2
Marking Code  
CB XX  
D
2
Lot Traceability  
and Date Code  
S
1
S
2
Part # Code  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si5904DC-T1  
Si5904DC-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"12  
T
= 25_C  
= 85_C  
"4.2  
"3.0  
"3.1  
"2.2  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
"10  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2.1  
1.1  
0.9  
1.1  
0.6  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
_C  
b, c  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
90  
30  
60  
110  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation  
process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bottom side solder intercon-  
nection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71065  
S-50695—Rev. C, 18-Apr-05  
www.vishay.com  
1
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SI5904DC-T1-E3 替代型号

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SI5904DC-T1-GE3 VISHAY

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