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SI5902DC-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 19:38:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	112K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8

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SI5902DC-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-C8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI5902DC-T1-GE3 数据手册

Si5902DC

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

3.9

Definition

0.085 at V_GS= 10 V

0.143 at V_GS= 4.5 V

TrenchFET^®Power MOSFETs

•

3.0

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

1206-8 ChipFET^®

Marking Code

CA XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Bottom View

Ordering Information: Si5902DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si5902DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

3.9

2.8

2.9

2.1

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

1.8

0.9

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

2.1

1.1

0.6

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

110

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result

of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure

adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 71053

S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10

www.vishay.com

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