是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.88 | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.1 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.1 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI5903DC-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 2100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, | |
SI5904DC | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI5904DC_08 | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI5904DC_10 | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET | |
SI5904DC-T1 | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI5904DC-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | |
SI5904DC-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET | |
SI5905BDC | VISHAY |
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Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | |
SI5905BDC-T1-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET | |
SI5905DC | VISHAY |
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Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |