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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-C6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI-58M | ETC |
获取价格 |
Supports 2x DDR3 1333MHz SO-DIMM, Max. 16GB |
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| SI590 | SILICON |
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1 ps MAX JITTER CRYSTAL OSCILLATOR |
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| SI5902BDC | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI5902BDC_10 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI5902BDC-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI5902BDC-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI5902DC | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI5902DC-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2900 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 1206-8, CHIPFET- |
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| SI5902DC-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI5902DC-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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